高純鍺γ譜探測器基于半導體的輻射探測器已經有半個多世紀的歷史，ORTEC 在這期間起到了先鋒帶頭作用。最初的產品基于鋰漂移的鍺Ge（Li）和鋰漂移的硅Si（Li）。Ge（Li）后來被更*的高純鍺（HPGe）探測器取代。ORTEC 提供全面的HPGe 探測器解決方案，涵蓋廣泛的能量和各種應用。

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標題：高純鍺γ譜探測器

產品概述

一、概述

• 基于半導體的輻射探測器已經有半個多世紀的歷史，ORTEC 在這期間起到了先鋒帶頭作用。最初的產品基于鋰漂移的鍺Ge（Li）和鋰漂移的硅Si（Li）。Ge（Li）后來被更*的高純鍺（HPGe）探測器取代。ORTEC 提供全面的HPGe 探測器解決方案，涵蓋廣泛的能量和各種應用。

• 鍺半導體輻射探測器需要低溫冷卻。為了支持各種計數幾何形狀，ORTEC 提供從標準LN2 系統到高級機電低溫冷卻器（如ICS™）的各種冷卻選項。

• 采用這些技術的ORTEC HPGe 輻射探測器在全球范圍內被廣泛應用于核結構物理等各種應用，以防止在世界上大的商業港口販運非法核材料。

二、探測器系列

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